Найдено документов - 223 | Найти похожие: "Индекс ББК" = '22.379' | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Документ
Кузнецов Ю. М.
Определение h-параметров биполярного транзистора. Практикум / Кузнецов Ю. М.,Хазанова С. В. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2024. – 21 с. – Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки: 11.03.04 – Электроника и наноэлектроника 28.03.01 – Нанотехнологии и микросистемная техника. – URL: https://e.lanbook.com/book/431270. – URL: https://e.lanbook.com/img/cover/book/431270.jpg.
Определение h-параметров биполярного транзистора. Практикум / Кузнецов Ю. М.,Хазанова С. В. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2024. – 21 с. – Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки: 11.03.04 – Электроника и наноэлектроника 28.03.01 – Нанотехнологии и микросистемная техника. – URL: https://e.lanbook.com/book/431270. – URL: https://e.lanbook.com/img/cover/book/431270.jpg.
Авторы: Кузнецов Ю. М., Хазанова С. В.
ББК: 22.379
УДК: 53.082.64
Для просмотра необходимо войти в личный кабинет
Подробнее
Аннотация: Настоящий практикум является частью цикла лабораторных работ, выполняемых на физическом факультете ННГУ в рамках курса «Теоретические основы электро- и радиотехники». Пособие посвящено описанию устройства и принципов работы биполярного транзистора. Приводится описание методик регистрации статических входных и выходных характеристик биполярного транзистора.
2. Документ
Кузнецов Ю. М.
RC-генератор на биполярном транзисторе. Практикум / Кузнецов Ю. М.,Хазанова С. В.,Королев Д. С. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2024. – 19 с. – Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки: 11.03.04 – «Электроника и наноэлектроника» 28.03.01 – «Нанотехнологии и микросистемная техника». – URL: https://e.lanbook.com/book/431330. – URL: https://e.lanbook.com/img/cover/book/431330.jpg.
RC-генератор на биполярном транзисторе. Практикум / Кузнецов Ю. М.,Хазанова С. В.,Королев Д. С. – Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2024. – 19 с. – Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки: 11.03.04 – «Электроника и наноэлектроника» 28.03.01 – «Нанотехнологии и микросистемная техника». – URL: https://e.lanbook.com/book/431330. – URL: https://e.lanbook.com/img/cover/book/431330.jpg.
Авторы: Кузнецов Ю. М., Хазанова С. В., Королев Д. С.
ББК: 22.379
УДК: 53.082.64
Для просмотра необходимо войти в личный кабинет
Подробнее
Аннотация: Настоящий практикум является частью цикла лабораторных работ, выполняемых на физическом факультете ННГУ в рамках курса «Теоретические основы электро- и радиотехники». Пособие посвящено описанию устройства и принципов работы RC-генератора на биполярном транзисторе.
3. Документ
Кистенева М. Г.
Физические основы микро- и наноэлектроники : учебно-методическое пособие по практической и самостоятельной работе / Кистенева М. Г.,Артищев С. А. – Москва : ТУСУР, 2023. – 34 с. – URL: https://e.lanbook.com/book/394265. – URL: https://e.lanbook.com/img/cover/book/394265.jpg.
Физические основы микро- и наноэлектроники : учебно-методическое пособие по практической и самостоятельной работе / Кистенева М. Г.,Артищев С. А. – Москва : ТУСУР, 2023. – 34 с. – URL: https://e.lanbook.com/book/394265. – URL: https://e.lanbook.com/img/cover/book/394265.jpg.
Авторы: Кистенева М. Г., Артищев С. А.
ББК: 22.379
УДК: 538.956
Для просмотра необходимо войти в личный кабинет
Подробнее
Аннотация: Настоящее учебно-методическое пособие составлено с учетом требований федерального государственного образовательного стандарта высшего образования (ФГОС ВО). Учебно-методическое пособие содержит методические указания по изучению соответствующих разделов, вопросы для самопроверки. Приведены примеры решения задач по каждому разделу. Пособие содержит необходимые табличные данные для решения задач. Пособие рекомендуется для студентов технических направлений подготовки и специальностей.
4. Документ
Поклонский, Н. А.
Физика полупроводниковых систем. Основные понятия / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, О. Н. Поклонская. – Физика полупроводниковых систем. Основные понятия ; Весь срок охраны авторского права. – Минск : Белорусская наука, 2023. – 312 с. – электронный. – Книга находится в премиум-версии IPR SMART. – Текст. – URL: https://www.iprbookshop.ru/135991.html. – ISBN 978-985-08-3053-1.
Физика полупроводниковых систем. Основные понятия / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, О. Н. Поклонская. – Физика полупроводниковых систем. Основные понятия ; Весь срок охраны авторского права. – Минск : Белорусская наука, 2023. – 312 с. – электронный. – Книга находится в премиум-версии IPR SMART. – Текст. – URL: https://www.iprbookshop.ru/135991.html. – ISBN 978-985-08-3053-1.
Авторы: Поклонский, Н. А., Вырко, С. А., Поклонская, О. Н.
Ключевые слова: физика, полупроводниковых систем, решеточная теплопроводность, атомная диффузия
ББК: 22.379
УДК: 537.311
Ссылка на web-ресурс: https://www.iprbookshop.ru/135991.html - Перейти к просмотру издания
Подробнее
Аннотация: Издание содержит основные понятия физики полупроводниковых материалов и элементов приборных структур на их основе. В основе книги — опыт выполнения проектов Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований и чтения лекций членом-корреспондентом, профессором Н. А. Поклонским. Кратко формулируются понятия о состояниях и процессах с участием электронов, дырок, фононов и атомных дефектов кристаллической матрицы в полупроводниковых системах различной размерности, а также в дискретных полупроводниковых приборах. Приведен необходимый для понимания терминов (основных понятий) минимум сведений из статистической термодинамики и квантовой механики. Книга предназначена для студентов и аспирантов, а также научных работников, специализирующихся в области физики и техники разноразмерных полупроводниковых систем.
5. Документ
Асеев, А. Л.
Полупроводники и нанотехнологии : учебное пособие / А. Л. Асеев. – Полупроводники и нанотехнологии ; 2033-11-28. – Новосибирск : Новосибирский государственный университет, 2023. – 144 с. – электронный. – Книга находится в премиум-версии IPR SMART. – Текст. – URL: https://www.iprbookshop.ru/134582.html. – ISBN 978-5-4437-1360-1.
Полупроводники и нанотехнологии : учебное пособие / А. Л. Асеев. – Полупроводники и нанотехнологии ; 2033-11-28. – Новосибирск : Новосибирский государственный университет, 2023. – 144 с. – электронный. – Книга находится в премиум-версии IPR SMART. – Текст. – URL: https://www.iprbookshop.ru/134582.html. – ISBN 978-5-4437-1360-1.
Авторы: Асеев, А. Л.
Ключевые слова: полупроводник, нанотехнологии, физика, электроника, интегральная микросхема, электронная память, нейропроцессор, спинтроника
ББК: 22.379
УДК: 621.315
Ссылка на web-ресурс: https://www.iprbookshop.ru/134582.html - Перейти к просмотру издания
Подробнее
Аннотация: В пособии приводятся лекции академика А. Л. Асеева в рамках курса современной экспериментальной физики под руководством профессора В. И. Тельнова для магистрантов физического факультета НГУ. Главной целью пособия является изложение базовых знаний и современного состояния физики и технологии полупроводников как основы стремительного развития информационных и телекоммуникационных технологий на рубеже XX и XXI веков, во многом определяющих сегодняшнее развитие науки, общества и цивилизации в целом. Еще более впечатляющие горизонты связаны с интенсивным развитием нанотехнологий и их применением в традиционных и новых областях полупроводниковой электроники, таких как интегральные микросхемы сверхвысокой плотности, терабитная электронная память, нейропроцессоры, спинтроника и квантовые вычислители, интеллектуальные системы управления и энергосбережения, устройства связи и локационные системы, элементы СВЧ- и ТГц-электроники, оптоэлектроника и радиофотоника, экономичные источники освещения на полупроводниковых светодиодах, полупроводниковые лазеры и фотоприемные устройства тепло- и ночного видения. При подготовке данного пособия широко использовались результаты работ автора и его коллег, полученные в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Пособие может быть полезно студентам и выпускникам вузов, научным сотрудникам, преподавателям, сотрудникам высокотехнологических предприятий и всем работающим в этой интереснейшей области науки и технологий.
6. Документ
Сударь, Н. Т.
Эффекты сильного поля в полимерных диэлектриках : учебное пособие / Н. Т. Сударь. – Эффекты сильного поля в полимерных диэлектриках ; 2028-03-07. – Санкт-Петербург : Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2022. – 153 с. – электронный. – Книга находится в премиум-версии IPR SMART. – Текст. – URL: https://www.iprbookshop.ru/128656.html. – ISBN 978-5-7422-7820-7.
Эффекты сильного поля в полимерных диэлектриках : учебное пособие / Н. Т. Сударь. – Эффекты сильного поля в полимерных диэлектриках ; 2028-03-07. – Санкт-Петербург : Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2022. – 153 с. – электронный. – Книга находится в премиум-версии IPR SMART. – Текст. – URL: https://www.iprbookshop.ru/128656.html. – ISBN 978-5-7422-7820-7.
Авторы: Сударь, Н. Т.
Ключевые слова: сильное поле, полимерные диэлектрики, электрическое поле, высокомолекулярные соединения
ББК: 22.379
УДК: 53.097
Ссылка на web-ресурс: https://www.iprbookshop.ru/128656.html - Перейти к просмотру издания
Подробнее
Аннотация: Учебное пособие соответствует содержанию дисциплин «Материалы органической электроники» и «Физические основы молекулярной электроники» федерального образовательного стандарта высшего образования по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» и 16.04.01 «Техническая физика». Рассмотрены основные процессы, развивающиеся в полимерах в условиях воздействия на них сильного электрического поля и применимость физических теорий, объясняющих возникновение и закономерности этих процессов. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по магистерским программам.
7. Документ
Экспериментальные и теоретические методы исследования атомной и электронной структуры материалов : учебное пособие / Л. А. Бугаев, Г. Б. Сухарина, Л. А. Авакян [и др.]. – Экспериментальные и теоретические методы исследования атомной и электронной структуры материалов ; 2026-06-29. – Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2022. – 104 с. – электронный. – Книга находится в премиум-версии IPR SMART. – Текст. – URL: https://www.iprbookshop.ru/131465.html. – ISBN 978-5-9275-4251-2.
Авторы: Бугаев, Л. А., Сухарина, Г. Б., Авакян, Л. А., Срабионян, В. В., Ермакова, А. М., Курзина, Т. И.
Ключевые слова: экспериментальный метод, атомная структура, электронная структура, материал, наноматериал, физика
ББК: 22.379
УДК: 539.213
Ссылка на web-ресурс: https://www.iprbookshop.ru/131465.html - Перейти к просмотру издания
Подробнее
Аннотация: Излагаются основы широко применяемых в настоящее время методов исследования структуры неупорядоченных, аморфных и наноматериалов, в том числе с использованием синхротронного излучения. Описаны теоретические основы методов и особенности их применения. Рекомендовано для студентов старших курсов бакалавриата и магистратуры, обучающихся по направлению 03.03.02 и 03.04.02 «Физика» и другим естественно-научным направлениям.
8. Документ
Нефёдцев Е. В.
Радиоматериалы и радиокомпоненты : учебное пособие по дисциплине «материаловедение и технология материалов», «материалы и компоненты электронных средств», «радиоматериалы и радиокомпоненты» / Нефёдцев Е. В.,Кузебных Н. И.,Кистенёва М. Г. – Москва : ТУСУР, 2022. – 268 с. – URL: https://e.lanbook.com/book/313538. – URL: https://e.lanbook.com/img/cover/book/313538.jpg.
Радиоматериалы и радиокомпоненты : учебное пособие по дисциплине «материаловедение и технология материалов», «материалы и компоненты электронных средств», «радиоматериалы и радиокомпоненты» / Нефёдцев Е. В.,Кузебных Н. И.,Кистенёва М. Г. – Москва : ТУСУР, 2022. – 268 с. – URL: https://e.lanbook.com/book/313538. – URL: https://e.lanbook.com/img/cover/book/313538.jpg.
Авторы: Нефёдцев Е. В., Кузебных Н. И., Кистенёва М. Г.
ББК: 22.379
УДК: 538.956
Для просмотра необходимо войти в личный кабинет
Подробнее
Аннотация: Учебное пособие можно условно разделить на несколько структурных единиц. Первый раздел посвящен некоторым общим вопросам материаловедения. Остальную часть пособия можно условно разбить на тематические группы. В первых разделах каждой группы рассматриваются общие физические явления, свойственные определенному классу радиоматериалов и радиокомпонентов. В последующих разделах каждой такой группы дается информация о конкретных материалах: их свойствах, особенностях, области применения и др. В этом ключе рассмотрены физические процессы, характеристики и параметры: в металлах, диэлектриках и магнитных материалах. В учебном пособии фактически опущены вопросы, связанные с полупроводниковыми материалами, занимающими особое место в электронике, поскольку традиционно им отводятся отдельные дисциплины. Учебное пособие предназначено для студентов вузов радиотехнических специальностей дневного, заочного и дистантного обучения.
9. Книга
Физика полупроводниковых преобразователей / под ред. А. Н. Саурова, С. В. Булярского ; Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук. – Москва : РАН, 2018. – 276 с. : ил. – Научное. – ISBN 978-5-907036-30-7.
Шифры: 22.379 - Ф503
Ключевые слова: полупроводниковые преобразователи, физика полупроводниковых преобразователей, физика полупроводников, полупроводники
Тематические рубрики: Физика - Физика твердого тела. Кристаллография
ББК: 22.379
Экземпляры: Всего: 1, из них: АБ 1-1
10. Документ
Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур : учебно-методическое пособие / Г. Д. Кузнецов, Г. К. Сафаралиев, М. Н. Стриханов [и др.]. – Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур ; 2026-11-12. – Москва : Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 2018. – 148 с. – электронный. – Книга находится в премиум-версии IPR SMART. – Текст. – URL: https://www.iprbookshop.ru/116427.html. – ISBN 978-5-7262-2422-0.
Авторы: Кузнецов, Г. Д., Сафаралиев, Г. К., Стриханов, М. Н., Каргин, Н. И., Харламов, Н. А.
Ключевые слова: тонкопленочная гетерокомпозиция, карбид кремния, гетероструктура
ББК: 22.379
УДК: 539.216
Ссылка на web-ресурс: https://www.iprbookshop.ru/116427.html - Перейти к просмотру издания
Подробнее
Аннотация: Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кристаллографической структурой – химическому осаждению из газовой фазы, осаждению из жидкой фазы и сублимации. Основной акцент делается на возможности использования энергетического взаимодействия на границы раздела фаз для активирования процессов образования слоев – импульсного лазерного и ионно-плазменного. Рассматривается уточненная классификация методов и способов получения тонких слоев и гетероструктур на основе карбида кремния, основанная преимущественно на физических или химических процессах на границе фазообразования. Приводятся и анализируются базовые параметры и свойства полупроводникового карбида кремния, твердых растворов SiC-III-нитриды, включая полиморфизм. Предназначено для бакалавров, магистров, инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области экстремальной электроники.
11. Документ
Малышев, И. В.
Кинетические эффекты в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей : учебное пособие / И. В. Малышев, Н. В. Паршина. – Кинетические эффекты в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей ; 2025-01-01. – Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. – 145 с. – электронный. – Книга находится в премиум-версии IPR SMART. – Текст. – URL: https://www.iprbookshop.ru/87718.html. – ISBN 978-5-9275-3016-8.
Кинетические эффекты в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей : учебное пособие / И. В. Малышев, Н. В. Паршина. – Кинетические эффекты в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей ; 2025-01-01. – Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. – 145 с. – электронный. – Книга находится в премиум-версии IPR SMART. – Текст. – URL: https://www.iprbookshop.ru/87718.html. – ISBN 978-5-9275-3016-8.
Авторы: Малышев, И. В., Паршина, Н. В.
Ключевые слова: кинетический эффект, полупроводниковая структура, электрическое поле, магнитное поле, кинетическое уравнение, закон Фика, дрейфово-диффузионная модель, гидродинамическое приближение, метод Монте-Карло, полупроводниковый прибор
ББК: 22.379
УДК: 539.293
Ссылка на web-ресурс: https://www.iprbookshop.ru/87718.html - Перейти к просмотру издания
Подробнее
Аннотация: В учебном пособии приведен базовый теоретический материал для курсов «Физика полупроводников», «Материалы и элементы электронной техники», «Техническая электродинамика», «Специальные разделы физики», в которых рассматриваются основные кинетические эффекты, проявляющиеся в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей. Пособие предназначено для курсов, читаемых для бакалаврских направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», но может представлять интерес и для других направлений.
12. Документ
Никифоров, С. В.
Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках / С. В. Никифоров, В. С. Кортов. – Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках ; 2025-03-03. – Москва : Техносфера, 2017. – 272 с. – электронный. – Книга находится в премиум-версии IPR SMART. – Текст. – URL: https://www.iprbookshop.ru/84702.html. – ISBN 978-5-94836-490-2.
Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках / С. В. Никифоров, В. С. Кортов. – Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках ; 2025-03-03. – Москва : Техносфера, 2017. – 272 с. – электронный. – Книга находится в премиум-версии IPR SMART. – Текст. – URL: https://www.iprbookshop.ru/84702.html. – ISBN 978-5-94836-490-2.
Авторы: Никифоров, С. В., Кортов, В. С.
Ключевые слова: радиационно-индуцированный процесс, нестехиометрическая оксидная диэлектрика, ионизация, заряд, люминесценция
ББК: 22.379
УДК: 539.21
Ссылка на web-ресурс: https://www.iprbookshop.ru/84702.html - Перейти к просмотру издания
Подробнее
Аннотация: В книге рассмотрены радиационно-индуцированные процессы, возникающие при взаимодействии ионизирующих излучений с веществом, положенные в основу дозиметрических измерений. Особое внимание уделено методам твердотельной дозиметрии на основе термостимулированной люминесценции. Описаны механизмы образования анионных дефектов в объемных и наноструктурных широкозонных оксидных диэлектриках, проведено сравнение их люминесцентных и дозиметрических свойств. Приведен обзор и анализ различных типов кинетических моделей термо- стимулированной люминесценции, в том числе основанных на конкурирующем влиянии глубоких ловушек. Описаны эффекты сенситизации люминесценции в широкозонных оксидах, обусловленные изменением заселенности глубоких центров. Представлены результаты, доказывающие решающую роль процессов температурно-зависимого захвата носителей заряда глубокими ловушками в формировании люминесцентных и дозиметрических свойств данного класса материалов. Приводятся сведения о дозиметрических характеристиках и применении термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений ТЛД-500К на основе анион-дефектного оксида алюминия. Книга адресована широкому кругу читателей – специалистам по физике конденсированного состояния, радиационной физике диэлектрических материалов, инженерам, работающим в области индивидуальной, медицинской и технологической дозиметрии и радиационного мониторинга. Она может быть также полезна аспирантам и студентам старших курсов.
13. Книга
Ю Питер.
Основы физики полупроводников / Пер.с англ.И.И.Решиной;Под ред.Б.П.Захарчени. – Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2002. – 560 с. – Библиогр.:с.509-541.-Предмет.указ.:с.542-560. – ISBN 5-9221-0268-0.
Основы физики полупроводников / Пер.с англ.И.И.Решиной;Под ред.Б.П.Захарчени. – Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2002. – 560 с. – Библиогр.:с.509-541.-Предмет.указ.:с.542-560. – ISBN 5-9221-0268-0.
Авторы: Ю Питер, Кардона Мануэль
Шифры: 22.379 - Ю11
Ключевые слова: Полупроводники
Тематические рубрики: Физика полупроводников
ББК: 22.379, 22.379
Экземпляры: Всего: 2, из них: АБ 1-2
14. Книга
Алферов Жорес Иванович.
Физика и жизнь / Редколл.:Р.А.Сурис,Б.П.Захарченя,Ю.А.Петросян и др. – Санкт-Петербург : Наука, 2001. – 288 с. – ISBN 5-02-022619-Х.
Физика и жизнь / Редколл.:Р.А.Сурис,Б.П.Захарченя,Ю.А.Петросян и др. – Санкт-Петербург : Наука, 2001. – 288 с. – ISBN 5-02-022619-Х.
Авторы: Алферов Жорес Иванович
Шифры: 22.379 - А535
Ключевые слова: Физика полупроводников
Тематические рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
ББК: 22.379, 22.3д, 22.379
Экземпляры: Всего: 2, из них: АБ 1-2
15. Статья из журнала
ЯМР-исследования монокристаллов топологического изолятора Bi[2]Te[3] при низких температурах / А. О. Антоненко [и др.]
// Физика твердого тела. – 2017. – Т. 59, вып. 5. – С. 836-840. – ISSN 0367-3294. – Библиогр. в конце ст. (14 назв.). – 3 рис.
// Физика твердого тела. – 2017. – Т. 59, вып. 5. – С. 836-840. – ISSN 0367-3294. – Библиогр. в конце ст. (14 назв.). – 3 рис.
Авторы: Антоненко А. О., Чарная Е. В., Нефедов Д. Ю., Подорожкин Д. Ю., Усков А. В., Бугаев А. С., Lee M. K., Chang L. J., Наумов С. В., Перевозчикова Ю. А., Чистяков В. В., Марченкова Е. Б., Weber H. W., Huang J. C. A., Марченков В. В.
Ключевые слова: ЯМР-исследования, висмут, диапазон температур 12. 5-16. 5 K, изоляторы (физика), монокристаллы, теллурид висмута, топологические изоляторы
Тематические рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Физика полупроводников и диэлектриков
ББК: 22.379
УДК: 537.311.33
Подробнее
Аннотация: Проведены исследования методом ЯМР {125}Te порошкового образца и монокристаллических пластинок топологического изолятора Bi[2]Te[3] при комнатной температуре и при низких температурах в интервале 12. 5-16. 5 K.
16. Статья из журнала
Шелованова Г. Н.
Эффективное фотопреобразование в гетероструктуре на основе оксида меди (I) и оксида кадмия-олова / Г. Н. Шелованова, Т. Н. Патрушева
// Физика твердого тела. – 2017. – Т. 59, вып. 2. – С. 240-244. – ISSN 0367-3294. – Библиогр. в конце ст. (10 назв.). – 7 рис.
Эффективное фотопреобразование в гетероструктуре на основе оксида меди (I) и оксида кадмия-олова / Г. Н. Шелованова, Т. Н. Патрушева
// Физика твердого тела. – 2017. – Т. 59, вып. 2. – С. 240-244. – ISSN 0367-3294. – Библиогр. в конце ст. (10 назв.). – 7 рис.
Авторы: Шелованова Г. Н., Патрушева Т. Н.
Ключевые слова: гетероструктуры, кадмий-олово, медь, оксид меди, олово, фотопреобразование
Тематические рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Физика полупроводников и диэлектриков
ББК: 22.379
УДК: 537.311.33
Подробнее
Аннотация: Для создания солнечного элемента предложена гетероструктура, состоящая из анодного оксида меди Cu[2]O на медной подложке и прозрачной проводящей пленки Cd-Sn-O.
17. Статья из журнала
Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния / В. В. Антипов [и др.]
// Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60, вып. 3. – С. 499-504. – ISSN 0367-3294. – Библиогр. в конце ст. (20 назв.). – 8 рис.
// Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60, вып. 3. – С. 499-504. – ISSN 0367-3294. – Библиогр. в конце ст. (20 назв.). – 8 рис.
Авторы: Антипов В. В., Кукушкин С. А., Осипов А. В., Рубец В. П.
Ключевые слова: буферные слои, кадмий, карбид кремния, кремний, пленки селенида кадмия, селенид кадмия
Тематические рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Физика полупроводников и диэлектриков
ББК: 22.379
УДК: 537.311.33
Подробнее
Аннотация: Методом испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме впервые выращен эпитаксиальный кубический селенид кадмия толщиной 350 nm на кремнии.
18. Статья из журнала
Энергетическая структура одиночного акцептора Mn в GaAs : Mn / Г. С. Димитриев [и др.]
// Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60, вып. 8. – С. 1556-1565. – ISSN 0367-3294. – Библиогр. в конце ст. (45 назв.). – 8 рис.
// Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60, вып. 8. – С. 1556-1565. – ISSN 0367-3294. – Библиогр. в конце ст. (45 назв.). – 8 рис.
Авторы: Димитриев Г. С., Сапега В. Ф., Аверкиев Н. С., Debus J., Lahderanta E., Крайнов И. В.
Ключевые слова: GaAs, Mn, акцепторы Mn, конференции, международные семинары, одиночные акцепторы, семинары, энергетическая структура
Тематические рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Физика полупроводников и диэлектриков
ББК: 22.379
УДК: 537.311.33
Подробнее
Аннотация: Исследована энергетическая структура акцептора марганца, состоящего из иона Mn{2+} и валентной дырки, при наличии внешнего магнитного поля и одноосной деформации.
19. Статья из журнала
Электрохимический "резонанс" фотолюминесценции при импульсном анодном формировании пористого кремния / Е. С. Демидов [и др.]
// Физика твердого тела. – 2019. – Т. 61, вып. 3. – С. 419-421. – ISSN 0367-3294. – Библиогр. в конце ст. (5 назв.). – 4 рис.
// Физика твердого тела. – 2019. – Т. 61, вып. 3. – С. 419-421. – ISSN 0367-3294. – Библиогр. в конце ст. (5 назв.). – 4 рис.
Авторы: Демидов Е. С., Абросимов А. С., Демидова Н. Е., Карзанов В. В.
Ключевые слова: анодное формирование, импульсное анодное формирование, кремний, пористый кремний, резонанс фотолюминесценции, формирование пористого кремния, фотолюминесценция, электрохимический резонанс
Тематические рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Физика полупроводников и диэлектриков
ББК: 22.379
УДК: 537.311.33
Подробнее
Аннотация: Представлены данные измерений фотолюминесцентных, парамагнитных и электротранспортных характеристик пористого кремния, сформированного при импульсной модуляции тока в расширенном до пяти порядков диапазоне длительности импульса от сотых долей секунды.
20. Статья из журнала
Тагиев Б. Г.
Электропроводность монокристаллов твердых растворов GaSe[x]Te[1-x] в сильных электрических полях / Б. Г. Тагиев, О. Б. Тагиев
// Физика твердого тела. – 2017. – Т. 59, вып. 6. – С. 1060-1064. – ISSN 0367-3294. – Библиогр. в конце ст. (30 назв.). – 6 рис.
Электропроводность монокристаллов твердых растворов GaSe[x]Te[1-x] в сильных электрических полях / Б. Г. Тагиев, О. Б. Тагиев
// Физика твердого тела. – 2017. – Т. 59, вып. 6. – С. 1060-1064. – ISSN 0367-3294. – Библиогр. в конце ст. (30 назв.). – 6 рис.
Авторы: Тагиев Б. Г., Тагиев О. Б.
Ключевые слова: GaSe, GaTe, Se, Te, Пула - Френкеля эффект, монокристаллы, селен, твердые растворы, теллур, электрические поля, электропроводность монокристаллов, эффект Пула - Френкеля
Тематические рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Физика полупроводников и диэлектриков
ББК: 22.379
УДК: 537.311.33
Подробнее
Аннотация: Представлены результаты исследования эффекта Пула - Френкеля с учетом экранирования в слоистых монокристаллах GaSe, GaTe и твердых растворах на их основе.