Аннотация: Настоящий практикум является частью цикла лабораторных работ, выполняемых на физическом факультете ННГУ в рамках курса «Теоретические основы электро- и радиотехники». Пособие посвящено описанию устройства и принципов работы биполярного транзистора. Приводится описание методик регистрации статических входных и выходных характеристик биполярного транзистора.

Аннотация: Настоящий практикум является частью цикла лабораторных работ, выполняемых на физическом факультете ННГУ в рамках курса «Теоретические основы электро- и радиотехники». Пособие посвящено описанию устройства и принципов работы RC-генератора на биполярном транзисторе.

Аннотация: Настоящее учебно-методическое пособие составлено с учетом требований федерального государственного образовательного стандарта высшего образования (ФГОС ВО). Учебно-методическое пособие содержит методические указания по изучению соответствующих разделов, вопросы для самопроверки. Приведены примеры решения задач по каждому разделу. Пособие содержит необходимые табличные данные для решения задач. Пособие рекомендуется для студентов технических направлений подготовки и специальностей.

Аннотация: Издание содержит основные понятия физики полупроводниковых материалов и элементов приборных структур на их основе. В основе книги — опыт выполнения проектов Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований и чтения лекций членом-корреспондентом, профессором Н. А. Поклонским. Кратко формулируются понятия о состояниях и процессах с участием электронов, дырок, фононов и атомных дефектов кристаллической матрицы в полупроводниковых системах различной размерности, а также в дискретных полупроводниковых приборах. Приведен необходимый для понимания терминов (основных понятий) минимум сведений из статистической термодинамики и квантовой механики. Книга предназначена для студентов и аспирантов, а также научных работников, специализирующихся в области физики и техники разноразмерных полупроводниковых систем.

Аннотация: В пособии приводятся лекции академика А. Л. Асеева в рамках курса современной экспериментальной физики под руководством профессора В. И. Тельнова для магистрантов физического факультета НГУ. Главной целью пособия является изложение базовых знаний и современного состояния физики и технологии полупроводников как основы стремительного развития информационных и телекоммуникационных технологий на рубеже XX и XXI веков, во многом определяющих сегодняшнее развитие науки, общества и цивилизации в целом. Еще более впечатляющие горизонты связаны с интенсивным развитием нанотехнологий и их применением в традиционных и новых областях полупроводниковой электроники, таких как интегральные микросхемы сверхвысокой плотности, терабитная электронная память, нейропроцессоры, спинтроника и квантовые вычислители, интеллектуальные системы управления и энергосбережения, устройства связи и локационные системы, элементы СВЧ- и ТГц-электроники, оптоэлектроника и радиофотоника, экономичные источники освещения на полупроводниковых светодиодах, полупроводниковые лазеры и фотоприемные устройства тепло- и ночного видения. При подготовке данного пособия широко использовались результаты работ автора и его коллег, полученные в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Пособие может быть полезно студентам и выпускникам вузов, научным сотрудникам, преподавателям, сотрудникам высокотехнологических предприятий и всем работающим в этой интереснейшей области науки и технологий.

Аннотация: Учебное пособие соответствует содержанию дисциплин «Материалы органической электроники» и «Физические основы молекулярной электроники» федерального образовательного стандарта высшего образования по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» и 16.04.01 «Техническая физика». Рассмотрены основные процессы, развивающиеся в полимерах в условиях воздействия на них сильного электрического поля и применимость физических теорий, объясняющих возникновение и закономерности этих процессов. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по магистерским программам.

Аннотация: Излагаются основы широко применяемых в настоящее время методов исследования структуры неупорядоченных, аморфных и наноматериалов, в том числе с использованием синхротронного излучения. Описаны теоретические основы методов и особенности их применения. Рекомендовано для студентов старших курсов бакалавриата и магистратуры, обучающихся по направлению 03.03.02 и 03.04.02 «Физика» и другим естественно-научным направлениям.

Аннотация: Учебное пособие можно условно разделить на несколько структурных единиц. Первый раздел посвящен некоторым общим вопросам материаловедения. Остальную часть пособия можно условно разбить на тематические группы. В первых разделах каждой группы рассматриваются общие физические явления, свойственные определенному классу радиоматериалов и радиокомпонентов. В последующих разделах каждой такой группы дается информация о конкретных материалах: их свойствах, особенностях, области применения и др. В этом ключе рассмотрены физические процессы, характеристики и параметры: в металлах, диэлектриках и магнитных материалах. В учебном пособии фактически опущены вопросы, связанные с полупроводниковыми материалами, занимающими особое место в электронике, поскольку традиционно им отводятся отдельные дисциплины. Учебное пособие предназначено для студентов вузов радиотехнических специальностей дневного, заочного и дистантного обучения.

Аннотация: Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кристаллографической структурой – химическому осаждению из газовой фазы, осаждению из жидкой фазы и сублимации. Основной акцент делается на возможности использования энергетического взаимодействия на границы раздела фаз для активирования процессов образования слоев – импульсного лазерного и ионно-плазменного. Рассматривается уточненная классификация методов и способов получения тонких слоев и гетероструктур на основе карбида кремния, основанная преимущественно на физических или химических процессах на границе фазообразования. Приводятся и анализируются базовые параметры и свойства полупроводникового карбида кремния, твердых растворов SiC-III-нитриды, включая полиморфизм. Предназначено для бакалавров, магистров, инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области экстремальной электроники.

Аннотация: В учебном пособии приведен базовый теоретический материал для курсов «Физика полупроводников», «Материалы и элементы электронной техники», «Техническая электродинамика», «Специальные разделы физики», в которых рассматриваются основные кинетические эффекты, проявляющиеся в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей. Пособие предназначено для курсов, читаемых для бакалаврских направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», но может представлять интерес и для других направлений.

Аннотация: В книге рассмотрены радиационно-индуцированные процессы, возникающие при взаимодействии ионизирующих излучений с веществом, положенные в основу дозиметрических измерений. Особое внимание уделено методам твердотельной дозиметрии на основе термостимулированной люминесценции. Описаны механизмы образования анионных дефектов в объемных и наноструктурных широкозонных оксидных диэлектриках, проведено сравнение их люминесцентных и дозиметрических свойств. Приведен обзор и анализ различных типов кинетических моделей термо- стимулированной люминесценции, в том числе основанных на конкурирующем влиянии глубоких ловушек. Описаны эффекты сенситизации люминесценции в широкозонных оксидах, обусловленные изменением заселенности глубоких центров. Представлены результаты, доказывающие решающую роль процессов температурно-зависимого захвата носителей заряда глубокими ловушками в формировании люминесцентных и дозиметрических свойств данного класса материалов. Приводятся сведения о дозиметрических характеристиках и применении термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений ТЛД-500К на основе анион-дефектного оксида алюминия. Книга адресована широкому кругу читателей – специалистам по физике конденсированного состояния, радиационной физике диэлектрических материалов, инженерам, работающим в области индивидуальной, медицинской и технологической дозиметрии и радиационного мониторинга. Она может быть также полезна аспирантам и студентам старших курсов.

Аннотация: Объектом исследования являются сверхпроводниковые наноструктуры, изготовленных из тонких пленок сверхпроводников, таких как NbN, WSi и пленки алмаза с примесью бора. Изучение физики неравновесного состояния в тонкопленочных сверхпроводящих наноструктурах, возникающего при поглощении инфракрасных фотонов. Изучение динамики процессов энергетической релаксации и механизма возникновения резистивного состояния в сверхпроводниковых наноструктурах, изготовленных из тонких сверхпроводящих пленок NbN, WSi и пленках алмаза, легированного бором.

Аннотация: Анализируются физические свойства и электронные модели нового класса высокотемпературных сверхпроводников в слоистых соединениях на основе железа. Несмотря на различный химический состав и различие в кристаллической структуре, они имеют похожие физические свойства, обусловленные электронными носителями в FeAs-слоях и их взаимодействием с флуктуациями магнитного порядка. Исключительный интерес к ним объясняется перспективами практического применения. В монографии дается полная картина формирования их физических свойств на основе теоретических моделей и электронной структуры. Книга рассчитана на широкий круг читателей: физиков, изучающих электронные свойства FeAs-соединений, химиков, синтезирующих эти соединения, и специалистов, занимающихся расчетами электронной структуры твердых тел. Она будет полезна не только исследователям, работающим в области сверхпроводимости и магнетизма, но также студентам, аспирантам и всем тем, кто хочет ознакомиться с этой актуальной областью физического материаловедения.

Аннотация: Проведены исследования методом ЯМР {125}Te порошкового образца и монокристаллических пластинок топологического изолятора Bi[2]Te[3] при комнатной температуре и при низких температурах в интервале 12. 5-16. 5 K.

Аннотация: Для создания солнечного элемента предложена гетероструктура, состоящая из анодного оксида меди Cu[2]O на медной подложке и прозрачной проводящей пленки Cd-Sn-O.

Аннотация: Методом испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме впервые выращен эпитаксиальный кубический селенид кадмия толщиной 350 nm на кремнии.

Аннотация: Исследована энергетическая структура акцептора марганца, состоящего из иона Mn{2+} и валентной дырки, при наличии внешнего магнитного поля и одноосной деформации.